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●析塔動態表麵張力儀(yi) 在半導體(ti) 行業(ye) 的客戶案例
5G、人工智能、智慧交通等消費電子、汽車電子、計算機等應用領域的發展，對芯片的性能提出更高的要求，加快了芯片製程升級，從(cong) 而帶動了半導體(ti) 行業(ye) 的發展。半導體(ti) 晶圓製造工藝包括清洗、曝光、顯影、刻蝕、CMP（化學機械拋光）、切片等環節，需要用到各種特殊的液體(ti) ，如顯影液，清洗液，拋光液等等，這些液體(ti) 中表麵活性劑的濃度對工藝質量效果產(chan) 生深刻的影響。
芯片製造技術的進步驅動半導體(ti) 清洗技術快速發展。在單晶矽片製造中，光刻，刻蝕，沉積等工藝後均設置了清洗工藝，清洗工藝在芯片製造進程中占比最大，隨著芯片技術節點不斷提升，對晶圓表麵汙染物的控製要求也越來越高。
為(wei) 了滿足這些高的清潔度要求，在其中部分需要化學清洗的工序，清洗劑的濃度一定要保持在適當的濃度範圍之內(nei) ，成功的清洗工藝有兩(liang) 個(ge) 條件：
1. 為(wei) 了達成所需的清潔效果，清洗劑的濃度需要在規定範圍內(nei) 。
2. 在最後的漂洗過程後，須避免表麵活性劑在矽晶圓上殘留，殘留的表麵活性劑對後麵的處理工藝會(hui) 造成不利影響。
清洗工藝的好壞直接影響下一道工序，甚至影響器件的成品率和可靠性，然而在清洗工藝過程中，工人往往疏於(yu) 監控清洗和漂洗工序中表麵活性劑的濃度，表麵活性劑經常過量，而為(wei) 了消除表麵活性劑過量帶來的不利影響，又往往要費時費力地增加漂洗工序階段的成本。
德國析塔SITA動態表麵張力儀(yi) 通過動態表麵張力的測試，建立清洗槽液的表麵張力值與(yu) 表麵活性劑濃度關(guan) 係曲線，進而實現通過監控晶圓清洗工藝中表清洗劑表麵張力的變化來調整清洗劑的添加量，從(cong) 而優(you) 化晶圓清洗工藝。
晶圓切片工藝是在“後端”裝配工藝中的第一步。該工藝將晶圓分成單個(ge) 的芯片，用於(yu) 隨後的芯片接合(die bonding)、引線接合(wire bonding)和測試工序。在芯片的分割期間，金剛石刀片碾碎基礎材料(晶圓)，同時去掉所產(chan) 生的碎片。在切割晶圓時某一種特殊的處理液會(hui) 用於(yu) 冷卻工作時的刀片，這種處理液中會(hui) 加入某種表麵活性劑，以此來潤滑刀片並移除切割過程中產(chan) 生的碎片，改善切割品質、延長刀片壽命。
在半導體(ti) 晶圓CMP工藝中，利用機械力作用於(yu) 晶圓片表麵，同時研磨液中的化學物質與(yu) 晶圓片表麵材料發生化學反應來增加其研磨速率。
拋光液是 CMP 技術中的決(jue) 定性因素之一，其性能直接影響被加工工件表麵的質量以及拋光加工的效率。在CMP拋光液中，一般使用水基拋光液作為(wei) 加工介質，以去離子水作為(wei) 溶劑，加入磨料（如 SiO2、ZrO2 納米粒子等）、分散劑、pH 調節劑以及氧化劑等組分，每個(ge) 組分都具有相應的功能，對化學機械拋光過程起到不同的作用。磨料通過拋光液輸送到拋光墊表麵後，在拋光墊和被加工表麵之間同時受到壓力作用以及相對運動的帶動，通過對被加工表麵形成極細微的切削、劃擦以及滾壓作用，對表麵材料進行微量去除。磨料的形狀、硬度、顆粒大小對化學機械拋光都具有重要的影響。分散劑是一種兼具親(qin) 水性與(yu) 親(qin) 油性的界麵活性劑，能夠均勻分散一些不溶於(yu) 液體(ti) 的固體(ti) 顆粒，對於(yu) 拋光液而言，分散劑能夠減少拋光液中磨料顆粒的團聚，提高拋光液中磨料的分散穩定性。
目前在晶圓切片和CMP工藝中，監測切片過程中的特殊處理液和研磨液表麵活性劑濃度往往容易出現問題，如果將樣品送到第三方實驗室進行檢測，成本高，且有一定時差，無法快速矯正表麵活性劑濃度。
德國析塔SITA動態，可以建立液體(ti) 表麵張力值與(yu) 表麵活性劑濃度關(guan) 係曲線。在幾分鍾內(nei) 完成特殊處理液和研磨液動態表麵張力的測量，進而可以量化數據呈現液體(ti) 表麵活性劑濃度，幫助工人迅速將實際值與(yu) 期望值作比較，及時調整表麵活性劑濃度。
半導體(ti) 晶圓在光刻工藝中使用顯影劑溶解光刻膠，將光刻膠上的圖形精確複製到晶圓片上。四甲基氫氧化銨（TMAH）溶液是常用的顯影劑，人們(men) 往往在四甲基氫氧化銨（TMAH）溶液中添加表麵活性劑，以降低表麵張力，改善光刻工藝中光刻膠的粘附性，改善光刻顯影液對矽片塗膠麵的潤濕，使溶液更易親(qin) 和晶圓表麵，確保一個(ge) 穩定且不與(yu) 表麵幾何形狀相關(guan) 的蝕刻過程。
德國析塔SITA動態，可以建立TMAH溶液表麵張力值與(yu) 表麵活性劑濃度關(guan) 係曲線。通過快速連續監控TMAH溶液表麵張力，並在設定的範圍內(nei) 自動比較數據，使用工人可以在表麵活性劑濃度超出限定值後，短時間迅速反應采取相關(guan) 措施。
同時析塔SITA動態可對MAH溶液的潤濕性能進行簡便快捷的分析。操作簡單、無需任何專(zhuan) 業(ye) 經驗。
在太陽能電池生產(chan) 過程中，需要對晶圓進行蝕刻工藝，將顯影後的簡要蝕刻區域的保護膜去除，在蝕刻時接觸化學溶液，達到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果，使用工人往往在蝕刻液中添加異丙醇IPA，以降低蝕刻液表麵張力。
晶圓蝕刻工藝中容易存在的問題是：蝕刻過程的對流會(hui) 引起異丙醇的快速蒸發，蝕刻液表麵張力增加，蝕刻工藝質量下降。因此需要將蝕刻液中異丙醇濃度控製在規定範圍內(nei) 。
德國析塔SITA動態可以精確快速測量蝕刻液動態表麵張力，使用工人可以將測量值與(yu) 實際所需值進行對比，得出異丙醇濃度是否在規定範圍內(nei) ，如超出限定值後，則可以在短時間內(nei) 快速采取相應措施，達到高質量的蝕刻工藝和避免異丙醇過量，節省成本。
德國析塔SITA動態采用氣泡壓力法測量液體(ti) 動態及靜態表麵張力，通過智能控製氣泡壽命，測出液體(ti) 中表麵活性劑分子遷移到界麵過程中表麵張力的變化過程，即連續的一係列動態表麵張力值以及靜態表麵張力值。
德國析塔SITA動態，共有4種型號。
●Monitoring of wetting characteristics of etchants and developers
●Monitoring the surfactant concentration of TMAH-solutions
●Monitoring the surfactant concentration in wafer cleaning processes
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