在生產(chan) 和處理矽晶片時,磁盤須絕對潔淨。因此,晶片的表麵處理工藝造成的汙染必須要在清潔工序之後去除。為(wei) 了滿足這些高的清潔度要求,清洗劑的濃度一定要保持在使用手冊(ce) 規定的濃度之內(nei) 。
成功的清潔工藝有兩(liang) 個(ge) 條件:
1. 為(wei) 了達成所需的清潔效果,清潔劑的濃度需要在規定範圍內(nei) 。
2. 在最後的漂洗過程後,須避免表麵活性劑在矽晶片上殘留。殘留的表麵活性劑對這之後的處理工藝會(hui) 造成不利影響。
基於(yu) 實驗數據,由於(yu) 疏於(yu) 監控清潔和漂洗工序中表麵活性劑的濃度,表麵活性劑經常過量。為(wei) 了消除過量帶來的不利影響,往往要增加漂洗工位。
表麵張力的測量,確保了在特定生產(chan) 步驟中,表麵活性劑濃度的監測。通過精確控製表麵活性劑濃度,可以使表麵張力接近較佳值,此手段可節省大量的表麵活性劑,從(cong) 而去掉多餘(yu) 出的漂洗工位。不僅(jin) 如此,在最後一道或者倒數第二道漂洗過程中,對殘留表麵活性劑濃度的控製也可監控清洗質量。

測量不同表麵活性劑濃度的清潔劑
用氣泡壓力測動態表麵張力也能幫助我們(men) 選擇合適的清潔劑,而高活性、低表麵張力的表麵活性劑一般能達到更好的清潔效果。
至於(yu) 監控、清洗和漂洗過程,我們(men) 推薦您使用便攜式SITA DynoTester來進行隨機測量和SITA DynoLine進行自動和可靠的過程監控。SITA DynoTester測量清洗池中瞬時表麵張力值,然後通過定要添加來控製表麵活性劑的濃度在合理範圍。相比之下,過程監控係統SITA clean line ST的獨立係統的解決(jue) 方案將自動監測並定量添加。它可實現定時測量指定清洗池的表麵張力並自動判斷測量值是否在合理範圍。

SITA clean line ST
