
德國ANSEROS安索羅斯臭氧發生器MEGAGEN係列COM-VD在半導體(ti) 加工等方麵發揮重大作用。歡迎致電【13202947058】谘詢。
近年來,在半導體(ti) 工業(ye) 中,對臭氧的應用越來越多。臭氧被廣泛運用在晶圓清洗和電子元件清洗中。德國ANSEROS安索羅斯臭氧發生器MEGAGEN係列COM-VD在半導體(ti) 加工等方麵發揮重大作用。

ANSEROS安索羅斯臭氧發生器COM-VD係列是專(zhuan) 門為(wei) 獲得高濃度臭氧而設計的。在低氧氣消耗量的氣相中,臭氧最高濃度可達到 300g O3/Nm3。
MEGAGEN係列臭氧發生器COM-VD能與(yu) ANSEROS安索羅斯AOPR反應器配合使用,其質量轉移效果非常好,可以將大量的臭氧轉換成液相,從(cong) 而達到強力去除COD的目的。

臭氧發生器MEGAGEN COM-VD係列數據表
最高臭氧濃度
低耗氧量
低功耗
相關(guan) 反應性高
低AOPR(高級氧化工藝)能耗

+ AOP(高級氧化技術)汙水處理、去除COD
+ HOXON®廢水係統, API廢水
+ 半導體(ti) 加工(如晶圓清洗,電子元件臭氧清洗)
+ 除臭
+ 研發
+ 藥品生產(chan)
臭氧發生器在半導體(ti) 晶圓清洗上的應用
晶圓清洗是目前半導體(ti) 生產(chan) 線上最重要、最嚴(yan) 謹的工序之一,在很多的清洗工序中,隻要有一道工序達不到要求,就會(hui) 導致征辟的芯片的報廢和流程不順暢,傳(chuan) 統的RCA清洗法需要大量的化學試劑,帶來了成本的增加以及均勻性不一致的問題,而臭氧是一種具有較高氧化性的氣體(ti) ,把它溶解在超純水中,噴灑在晶圓表麵,可以將表麵的有機汙染物氧化為(wei) 二氧化碳和水,非常容易就可以去除表麵有機物,同時還會(hui) 在晶圓表麵形成一層致密的氧化膜。因此德國ANSEROS安索羅斯臭氧發生器非常適合運用在半導體(ti) 特別是晶圓清洗上。
部分客戶展示

| 類型 | 單位 | COM-VD-08 | COM-VD-16 | COM-VD-24 |
| 臭氧容量 | g O3 /h | 60 | 120 | 180 |
| 最大臭氧濃度 | g O3/Nm3 | 300 | 300 | 300 |
| 最小臭氧濃度 | g O3/Nm3 | 150 | 150 | 150 |
| 臭氧氣體壓力輸出 | bar (g) | <2.9 | ||
| 最小氧氣消耗量 | Nm3 /h | 0,2 | 0,4 | 0,6 |
| 電功率 | kW | 0,6 | 1,2 | 1,8 |
| 電源 | VAC /Hz | 230/50-60/1 phase | ||
| 能效 | kWh/kg O3 | 10 | 10 | 10 |
AOPR評級, 動力 | kg O3/(bar *h* m3H2O) | 10 ... 500 | ||
| 冷卻液,目標溫度 | m3 /h283 K | 0,1 | 0,2 | 0,3 |
| 外形尺寸 | mm | 高280*寬562*長603 mm | ||
| 標準重量 | kg | 41 | 50 | 62 |
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