臭氧在高級氧化工藝AOP的應用

發布於：2021-05-08

在半導體(ti) 工業(ye) 中， “絕對清潔”的要求擴展到設備（臭氧發生器，接觸到的設備），這意味著不會(hui) 產(chan) 生顆粒，沒有金屬，離子或有機汙染物。目前德國ANSEROS安索羅斯的臭氧發生器以及其他的臭氧處理係統已經可以“絕對清潔”的要求。

為(wei) 了保證臭氧在半導體(ti) 工業(ye) 清洗的應用的可重複性，必須測量液態臭氧濃度，對清洗過程進行控製。

因為(wei) 臭氧在晶圓清洗過程中的反應與(yu) 飲用水或者廢水處理中的臭氧反應是一樣的。由於(yu) 臭氧在水中的吸收與(yu) 晶片的處理（清洗、光刻膠去除等）通常是兩(liang) 個(ge) 獨立的係統，它們(men) 之間的距離最大為(wei) 40 m。因此，應該測量臭氧的衰減速率或至少接近使用點的液態臭氧濃度，以確保過程的可重複性。

高級氧化過程（AOPs）

高級氧化過程（AOPs）, 作為(wei) 涉及高反應性自由基中間體(ti) 特別是OHo的產(chan) 生的水處理過程。即使是高pH值的臭氧，也是AOP的一種。由於(yu) 臭氧主要通過非選擇性間接途徑與(yu) 天然水中的大多數有機汙染物發生反應，因此AOPs代表了催化這些自由基產(chan) 生的替代技術，從(cong) 而加速了有機汙染物的破壞。由於(yu) 自由基在其攻擊方式上相對非選擇性，因此它們(men) 能夠氧化所有還原物質，並且不像分子臭氧那樣局限於(yu) 特定類別的汙染物。

適用於高級氧化工藝(AOP）的臭氧水處理係統PAP-SC

在半導體(ti) 加工中，需要一個(ge) 完全幹淨的臭氧係統。在加工過程中（晶圓/IMEC清洗/RCA清洗/SOM等），任何從(cong) 臭氧係統排放到半導體(ti) 表麵的金屬和顆粒都會(hui) 影響晶圓的質量，包括臭氧係統的部件臭氧發生器COM-AD或臭氧分析儀(yi) WM，ANSEORS安索羅斯臭氧水係統PAP-SC在與(yu) 臭氧接觸時完全不含金屬，因此ANSEROS安索羅斯臭氧水處理係統可用於(yu) 濕法清洗和幹法清洗，不管是有酸還是無酸。為(wei) 了確保安全，ANSEORS安索羅斯臭氧水係統PAP-SC還包括一個(ge) 臭氧破壞器CAT-HO。其中臭氧發生器COM-AD配合ANSEROS臭氧分析儀(yi) 及控製係統，可以精準控製臭氧濃度，且雙壁石英管的設計使電極不接觸臭氧，保證了臭氧氣體(ti) 的幹淨。

高級氧化臭氧水處理係統