理學順序WDXRF波長色散X射線熒光光譜儀在半導體材料元素分析的優勢

半導體(ti) 行業(ye) 麵臨(lin) 著納米級精度、複雜結構分析、高速測量精度、多樣化材料集成、校準標準維護以及先進計量工具的經濟高效性等方麵的計量挑戰。

理學順序WDXRF波長色散X射線熒光光譜儀(yi) 適用於(yu) 測量材料的厚度和成分，尤其是輕元素。在半導體(ti) 製造和研發領域，理學順序WDXRF波長色散X射線熒光光譜儀(yi) 已成為(wei) 不可或缺的儀(yi) 器，因為(wei) 嚴(yan) 格控製材料特性對於(yu) 製造高性能半導體(ti) 器件至關(guan) 重要。

理學順序WDXRF波長色散X射線熒光光譜儀(yi) 采用高級基本參數（FP）方法，可以輕鬆測量 B、C、N、O、Mg 和 Al 等超輕元素，並且具有高能量分辨率。使用高功率 X 射線管（4 kW），可以為(wei) 大多數元素選擇多條譜線，以解決(jue) 各種薄膜厚度問題，可分析亞(ya) 埃至微米級的厚度。

FP 方法可以通過一個(ge) 配方進行厚度和成分分析，可最多可有效分析20個(ge) 堆疊層。由於(yu) FP 方法可以考慮其他層的吸收，因此複雜化合物或多層樣品的分析理學X射線熒光光譜儀(yi) 的優(you) 勢。