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電子束光刻機ZEL304G采用場發射電子槍，配合一體(ti) 化的高速圖形發生係統實現對半導體(ti) 晶圓的高速、高分辨光刻。該係統標配高精度激光幹涉樣品台，允許用戶實現大行程高精度拚接和套刻需求，在新材料、前沿物理研究、半導體(ti) 、微電 子、光子、量子研究領域發揮重要作用。
激光幹涉樣品台
先進的激光幹涉樣品台，滿足大行程高精度拚接和套刻需求
場發射電子槍
高分辨場發射電子槍是光刻質量的重要保證
圖形發生器
一體(ti) 化的高速圖形發生係統，允許用戶快速、 便捷地刻蝕複雜圖案
| 技術參數 | 說明 |
| 樣品台指標 | |
| 標配 | 激光幹涉樣品台 |
| 樣品台行程 | ≥105 mm |
| 拚接精度 | 優於50nm(平均值+1σ) |
| 套刻精度 | 優於50nm(平均值+1σ) |
| 電子槍及成像指標 | |
| 肖特基場發射電子槍 | 加速電壓20V~30kV;旁側二次電子探測器和鏡筒內電子探測器 |
| 圖像分辨率 | ≤1 nm @ 15 kV; ≤1.5 nm @ 1 kV |
| 束流密度 | ＞7000A/cm2:電子束流≥100nA |
| 最小束斑尺寸 | ≤2nm |
| 光刻指標 | |
| 電子束閘 | 上升沿<100ns |
| 寫視場 | ≥500x500 um |
| 最小單次曝光線寬 | <15nm(同時取決於工藝條件) |
| 掃描速度 | ≥20MHz |
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